Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
TK16G60W,RVQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK16G60W,RVQ-DG
Описание:
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
994 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889485
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK16G60W,RVQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 790µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
130W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
TK16G60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
TK16G60W
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
TK16G60W,RVQ(S
TK16G60WRVQCT
TK16G60WRVQDKR
TK16G60WRVQTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTA24N65X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
50
Номер части
IXTA24N65X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.52
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPB60R160C6ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3347
Номер части
IPB60R160C6ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.71
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPB60R165CPATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3135
Номер части
IPB60R165CPATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.21
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK8A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
SSM3K301T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
TK72E08N1,S1X
MOSFET N-CH 80V 72A TO220
TK33S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK