Производитель Номер продукта:
TK33S10N1Z,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK33S10N1Z,LQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Инвентаризация:
1940 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889506
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK33S10N1Z,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
33A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2050 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK+
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
TK33S10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
TK33S10N1ZLQTR
TK33S10N1ZLQCT
TK33S10N1ZLQDKR
TK33S10N1Z,LQ(O
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STD80N10F7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2500
Номер части
STD80N10F7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.69
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH6004SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
TK80S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
SSM3K309T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM