Производитель Номер продукта:
TK200F04N1L,LXGQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK200F04N1L,LXGQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Подробное описание:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Инвентаризация:
1000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939605
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK200F04N1L,LXGQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
214 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14920 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-220SM(W)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
TK200F04
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
TK200F04N1L,LXGQ(O
264-TK200F04N1LLXGQCT
264-TK200F04N1LLXGQDKR
264-TK200F04N1LLXGQTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
XPH4R714MC,L1XHQ
MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
TJ50S06M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
TK90S06N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
