Производитель Номер продукта:
TK25A20D,S5X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK25A20D,S5X-DG
Описание:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Подробное описание:
N-Channel 200 V 25A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
25 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988911
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK25A20D,S5X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
70mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2550 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
45W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
264-TK25A20D,S5X-DG
TK25A20D,S5X(M
264-TK25A20DS5X
264-TK25A20D,S5X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AS1M025120T
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
AIMBG120R020M1XTMA1
SIC_DISCRETE
2N7002E
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
