Производитель Номер продукта:
TK30A06N1,S4X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK30A06N1,S4X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 60 V 30A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
12890358
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK30A06N1,S4X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1050 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
25W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK30A06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK30A06N1S4X
TK30A06N1,S4X(S
TK30A06N1,S4X-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK8P60W5,RVQ
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
TK9A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 9A TO220SIS
TK560P65Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
