Производитель Номер продукта:
TK8P60W5,RVQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK8P60W5,RVQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 8A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
15461 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890363
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK8P60W5,RVQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
560mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 400µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
590 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
80W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
TK8P60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
TK8P60W5RVQCT
TK8P60W5,RVQ(S
TK8P60W5RVQTR
TK8P60W5RVQDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK9A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 9A TO220SIS
TK560P65Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
TK40A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
