Производитель Номер продукта:
TK32A12N1,S4X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK32A12N1,S4X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 120 V 32A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
100 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891193
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK32A12N1,S4X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 60 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK32A12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK32A12N1S4X
TK32A12N1,S4X(S
TK32A12N1,S4X-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SK2962(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK14A65W5,S5X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
TK42A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
