Производитель Номер продукта:
TK33S10N1L,LXHQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK33S10N1L,LXHQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Инвентаризация:
3908 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12943587
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK33S10N1L,LXHQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
33A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2250 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK+
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
TK33S10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
TK33S10N1L,LXHQ(O
264-TK33S10N1LLXHQCT
264-TK33S10N1LLXHQDKR
264-TK33S10N1LLXHQTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK160F10N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
STD18N65M2-EP
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
