Производитель Номер продукта:
TK39N60W5,S1VF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK39N60W5,S1VF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Подробное описание:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Инвентаризация:
3172 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890996
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK39N60W5,S1VF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
74mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1.9mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
270W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
TK39N60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
TK39N60W5S1VF
TK39N60W5,S1VF(S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPC8035-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TK65A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON