Производитель Номер продукта:
TK7J90E,S1E
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK7J90E,S1E-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 900 V 7A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Инвентаризация:
25 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890324
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK7J90E,S1E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
π-MOSVIII
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P(N)
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
TK7J90
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPCA8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
DMN3016LFDE-7
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
TK12A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
