Производитель Номер продукта:
TK9A90E,S4X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK9A90E,S4X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 900 V 9A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
95 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890939
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK9A90E,S4X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
π-MOSVIII
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 900µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK9A90
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK9A90E,S4X(S
TK9A90ES4X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPH1400ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
TK62N60X,S1F
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
TK56A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
