Производитель Номер продукта:
TPCC8105,L1Q(CM
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPCC8105,L1Q(CM-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
Подробное описание:
P-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Инвентаризация:
12942880
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPCC8105,L1Q(CM Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3240 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Упаковка / Чехол
8-VDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
TPCC8105
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
264-TPCC8105L1Q(CMTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TPCC8105,L1Q
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5000
Номер части
TPCC8105,L1Q-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.24
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFH8316TRPBF-IR
IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
FCH041N65F
N-CHANNEL, MOSFET
IRLU3802PBF
HEXFET POWER MOSFET
