Производитель Номер продукта:
TPN11006NL,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPN11006NL,LQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Подробное описание:
N-Channel 60 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Инвентаризация:
10188 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891605
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPN11006NL,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPN11006
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
TPN11006NLLQDKR
TPN11006NLLQTR
TPN11006NL,LQ(S
TPN11006NLLQCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SK4017(Q)
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
DMN3026LVTQ-7
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
DMN3016LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
