Производитель Номер продукта:
TPN2R903PL,L1Q
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPN2R903PL,L1Q-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Подробное описание:
N-Channel 30 V 70A (Tc) 630mW (Ta), 75W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Инвентаризация:
37456 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920957
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPN2R903PL,L1Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSIX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2300 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
630mW (Ta), 75W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPN2R903
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
264-TPN2R903PLL1QTR
264-TPN2R903PLL1QCT
TPN2R903PL,L1Q(M
264-TPN2R903PLL1QDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPN7R504PL,LQ
MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
TPWR6003PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
TK110A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
