Производитель Номер продукта:
TPN3300ANH,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPN3300ANH,LQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Подробное описание:
N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Инвентаризация:
14684 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891241
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPN3300ANH,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
33mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
880 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta), 27W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPN3300
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
TPN3300ANHLQ
TPN3300ANH,LQ(S
TPN3300ANHLQDKR
TPN3300ANHLQTR
TPN3300ANHLQCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM6K202FE,LF
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
2SK2962,T6WNLF(J
MOSFET N-CH TO92MOD
DMN2005K-7
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
