Производитель Номер продукта:
TPN3R704PL,L1Q
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPN3R704PL,L1Q-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Подробное описание:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 86W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Инвентаризация:
34211 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891188
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPN3R704PL,L1Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSIX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2500 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
630mW (Ta), 86W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPN3R704
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
TPN3R704PLL1QDKR
TPN3R704PLL1QTR
TPN3R704PLL1QCT
TPN3R704PL,L1Q(M
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK750A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
TK32A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
2SK2962(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD