Производитель Номер продукта:
TPN4R712MD,L1Q
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPN4R712MD,L1Q-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Подробное описание:
P-Channel 20 V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Инвентаризация:
7052 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890723
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
ubMK
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPN4R712MD,L1Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4300 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
42W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPN4R712
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
TPN4R712MDL1QTR
TPN4R712MDL1QDKR
TPN4R712MDL1QCT
TPN4R712MD,L1Q(M
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
TK100A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
TPC6009-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS-6
