Производитель Номер продукта:
XPH3R206NC,L1XHQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
XPH3R206NC,L1XHQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Подробное описание:
N-Channel 60 V 70A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Инвентаризация:
19536 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12986313
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
XPH3R206NC,L1XHQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
70A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4180 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
XPH3R206
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
XPH3R206NC,L1XHQ(O
264-XPH3R206NCL1XHQCT
264-XPH3R206NCL1XHQTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G15N10C
MOSFET N-CH 100V 22A TO-252
DMNH6069SFVW-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMTH8008LFG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
