Производитель Номер продукта:
TPH3202PD
Product Overview
Производитель:
Transphorm
Номер детали:
TPH3202PD-DG
Описание:
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
13446567
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPH3202PD Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Transphorm
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
760 pF @ 480 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
65W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP15N60M2-EP
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
334
Номер части
STP15N60M2-EP-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.76
Тип замещения
Similar
Номер детали
TK10E60W,S1VX
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
30
Номер части
TK10E60W,S1VX-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.31
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPH3206LDB
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
TPH3208LSG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TP65H070LSG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN