Производитель Номер продукта:
UF3C120080K3S
Product Overview
Производитель:
Qorvo
Номер детали:
UF3C120080K3S-DG
Описание:
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 33A (Tc) 254.2W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
17660 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12967099
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
UF3C120080K3S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Qorvo
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
51 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
254.2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
UF3C120080
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
2312-UF3C120080K3S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
UF3C120150K3S
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
SIJ462ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
NTD600N80S3Z
MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
