Производитель Номер продукта:
VS-FC80NA20
Product Overview
Производитель:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Номер детали:
VS-FC80NA20-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 108A SOT227
Подробное описание:
N-Channel 200 V 108A (Tc) 405W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Инвентаризация:
12917410
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
VS-FC80NA20 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
108A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10720 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
405W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
FC80
Дополнительная информация
Стандартный пакет
160
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFN140N20P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFN140N20P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
16.97
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHB35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
SI3455ADV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
SI4186DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
