Производитель Номер продукта:
SQS460ENW-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQS460ENW-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Подробное описание:
N-Channel 60 V 8A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Инвентаризация:
12917435
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQS460ENW-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
36mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
755 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
39W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8W
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8W
Базовый номер продукта
SQS460
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQS460ENW-T1_GE3DKR
SQS460ENW-T1_GE3CT
SQS460ENW-T1_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI5419DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI3447BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP
SI4630DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO