Производитель Номер продукта:
IRF630PBF
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRF630PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
5461 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12938878
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF630PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
74W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRF630
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRF630PBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVMFS6H801NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
NTP6412ANG
MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
NTMFS4C028NT3G
MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
