Производитель Номер продукта:
IRF830S
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRF830S-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12885870
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF830S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
610 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IRF830
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRF830S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF830SPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1095
Номер части
IRF830SPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.84
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF640STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO263
IRFDC20
MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
IRF610
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
