IRFBF20LPBF
Производитель Номер продукта:

IRFBF20LPBF

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

IRFBF20LPBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK

Инвентаризация:

12906291
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFBF20LPBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
490 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IRFBF20

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
*IRFBF20LPBF

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

ZXMN6A09GTA

MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223

diodes

ZVP3306FTC

MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3

vishay-siliconix

2N7002E-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

vishay-siliconix

IRF644SPBF

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK