IRFL210TRPBF
Производитель Номер продукта:

IRFL210TRPBF

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

IRFL210TRPBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Подробное описание:
N-Channel 200 V 960mA (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223

Инвентаризация:

6353 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12914567
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFL210TRPBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
960mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 580mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
140 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
IRFL210

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IRFL210TRPBFCT
IRFL210TRPBFDKR
IRFL210TRPBFTR
IRFL210PBFDKR-DG
*IRFL210TRPBF
IRFL210PBFCT
IRFL210PBFTR
IRFL210PBFDKR
IRFL210PBFTR-DG
IRFL210PBFCT-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI2316DS-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

vishay-siliconix

IRLR014TRLPBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

vishay-siliconix

IRFPC60PBF

MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3

vishay-siliconix

SI2302DDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3