Производитель Номер продукта:
SI1021R-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1021R-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Подробное описание:
P-Channel 60 V 190mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Инвентаризация:
21291 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12917228
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1021R-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.7 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
23 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-75A
Упаковка / Чехол
SC-75, SOT-416
Базовый номер продукта
SI1021
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1021R-T1-GE3DKR
SI1021RT1GE3
SI1021R-T1-GE3CT
SI1021R-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI2307BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
SIR808DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
SI8445DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 9.8A 4MICROFOOT