Производитель Номер продукта:
SIR808DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR808DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 25 V 20A (Tc) 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12917239
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR808DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
815 pF @ 12.5 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
29.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR808
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI8445DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 9.8A 4MICROFOOT
SI7476DP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
SI4778DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 8A 8SO