SI1032R-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI1032R-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI1032R-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Подробное описание:
N-Channel 20 V 140mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A

Инвентаризация:

16662 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915300
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI1032R-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
140mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±6V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-75A
Упаковка / Чехол
SC-75, SOT-416
Базовый номер продукта
SI1032

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1032RT1GE3
SI1032R-T1-GE3CT
SI1032R-T1-GE3TR
SI1032R-T1-GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRFR9310TRR

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

vishay-siliconix

SI2305CDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

vishay-siliconix

SI4490DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO

vishay-siliconix

SI2302ADS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3