Производитель Номер продукта:
SI1067X-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1067X-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
Подробное описание:
P-Channel 20 V 1.06A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Инвентаризация:
12917566
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1067X-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.06A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
150mOhm @ 1.06A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.3 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
375 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
236mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-89 (SOT-563F)
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Базовый номер продукта
SI1067
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI1077X-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
15055
Номер части
SI1077X-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.09
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIA436DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
SISH410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
SUP85N03-3M6P-GE3
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
