Производитель Номер продукта:
SI1077X-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1077X-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V SC89-6
Подробное описание:
P-Channel 20 V 1.75A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Инвентаризация:
15055 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12917367
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1077X-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.75A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31.1 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
965 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
330mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-89 (SOT-563F)
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Базовый номер продукта
SI1077
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1077X-T1-GE3TR
SI1077X-T1-GE3DKR
SI1077X-T1-GE3CT
SI1077X-T1-GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIRA34DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SUP90220E-GE3
MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB
SIHA22N60EL-E3
MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
