Производитель Номер продукта:
SI1071X-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1071X-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
Подробное описание:
P-Channel 30 V 960mA (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Инвентаризация:
12917558
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1071X-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
960mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
167mOhm @ 960mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.45V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
315 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
236mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-89 (SOT-563F)
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Базовый номер продукта
SI1071
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1071X-T1-GE3DKR
SI1071X-T1-GE3CT
SI1071X-T1-GE3TR
SI1071XT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SSM6J207FE,LF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3995
Номер части
SSM6J207FE,LF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ416EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
SI4048DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
SQM60N06-15_GE3
MOSFET N-CH 60V 56A TO263
