Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SI1330EDL-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1330EDL-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 240mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Инвентаризация:
2875 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916982
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1330EDL-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
240mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
3V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
280mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-3
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Базовый номер продукта
SI1330
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SI1330EDL-T1-GE3
HTML Спецификация
SI1330EDL-T1-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1330EDL-T1-GE3CT
SI1330EDL-T1-GE3CT-DG
742-SI1330EDL-T1-GE3DKR
SI1330EDL-T1-GE3TR
742-SI1330EDL-T1-GE3CT
SI1330EDL-T1-GE3DKR
742-SI1330EDL-T1-GE3TR
SI1330EDL-T1-GE3DKR-DG
SI1330EDLT1GE3
SI1330EDL-T1-GE3TR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMN63D1LW-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DMN63D1LW-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RSU002N06T106
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5515
Номер части
RSU002N06T106-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RHU002N06T106
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
49952
Номер части
RHU002N06T106-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUM120N04-1M7L-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
IXFT26N50Q
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
SI7425DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
VS-FC420SA15
MOSFET N-CH 150V 400A SOT227