SI1427EDH-T1-BE3
Производитель Номер продукта:

SI1427EDH-T1-BE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI1427EDH-T1-BE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2A (Ta), 2A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

Инвентаризация:

12945877
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI1427EDH-T1-BE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta), 2A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
64mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
SI1427

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI1427EDH-T1-BE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TK125V65Z,LQ

MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN

vishay-siliconix

IRF9Z34PBF-BE3

MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB

vishay-siliconix

IRF630PBF-BE3

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

vishay-siliconix

IRF624PBF-BE3

MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB