Производитель Номер продукта:
SI1902DL-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1902DL-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6
Инвентаризация:
34190 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915734
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1902DL-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
660mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
385mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
270mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Базовый номер продукта
SI1902
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1902DL-T1-E3DKR
SI1902DL-T1-E3TR
SI1902DLT1E3
SI1902DL-T1-E3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3552DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
SI7844DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
SI4914BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
