Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SI4914BDY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4914BDY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12915777
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4914BDY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
LITTLE FOOT®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.4A, 8A
Rds On (макс.) @ id, vgs
21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.7V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.5nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
2.7W, 3.1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Базовый номер продукта
SI4914
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SI4914BDY-T1-GE3
HTML Спецификация
SI4914BDY-T1-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4914BDY-T1-GE3CT
SI4914BDY-T1-GE3DKR
SI4914BDYT1GE3
SI4914BDY-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI4816BDY-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SI4816BDY-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.63
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SH8K4TB1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2436
Номер части
SH8K4TB1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.73
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ202EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
SI5903DC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI4916DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
SIF912EDZ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK