Производитель Номер продукта:
SIF912EDZ-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIF912EDZ-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)
Инвентаризация:
12915834
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIF912EDZ-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.4A
Rds On (макс.) @ id, vgs
19mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
1.6W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 2x5
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® (2x5)
Базовый номер продукта
SIF912
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIF912EDZ-T1-E3TR
SIF912EDZT1E3
SIF912EDZ-T1-E3CT
SIF912EDZ-T1-E3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJQ960EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
SQ9945AEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
SIZ720DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR