Производитель Номер продукта:
SI1905BDH-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1905BDH-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Подробное описание:
Mosfet Array 8V 630mA 357mW Surface Mount SC-70-6
Инвентаризация:
12912382
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1905BDH-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
630mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
542mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
62pF @ 4V
Мощность - Макс
357mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Базовый номер продукта
SI1905
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI1965DH-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5645
Номер части
SI1965DH-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.13
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI5975DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A 1206-8
SI4906DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8SOIC
SI4952DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC