Производитель Номер продукта:
SI1988DH-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1988DH-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
Инвентаризация:
12917413
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1988DH-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.3A
Rds On (макс.) @ id, vgs
168mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.1nC @ 8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
110pF @ 10V
Мощность - Макс
1.25W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Базовый номер продукта
SI1988
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1988DH-T1-GE3DKR
SI1988DH-T1-GE3CT
SI1988DH-T1-GE3TR
SI1988DHT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDG1024NZ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
450
Номер части
FDG1024NZ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.19
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SI1922EDH-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SI1922EDH-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.10
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3585DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
SQJ912AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
SQJ912BEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
