Производитель Номер продукта:
SI2315BDS-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI2315BDS-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Подробное описание:
P-Channel 12 V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
104715 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12912421
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI2315BDS-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
715 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
750mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
SI2315
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI2315BDS-T1-E3TR
SI2315BDST1E3
SI2315BDS-T1-E3CT
SI2315BDS-T1-E3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFI9520GPBF
MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220-3
SI7848DP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8
SI8808DB-T2-E1
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
