Производитель Номер продукта:
SI2399DS-T1-BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI2399DS-T1-BE3-DG
Описание:
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Подробное описание:
P-Channel 20 V 5.1A (Ta), 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
2480 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977726
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI2399DS-T1-BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.1A (Ta), 6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
34mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
835 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI2399DS-T1-BE3TR
742-SI2399DS-T1-BE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIDR610DP-T1-RE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
SIHA22N60E-GE3
N-CHANNEL 600V
SIHA22N60EL-GE3
N-CHANNEL600V
