Производитель Номер продукта:
SI3442BDV-T1-BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI3442BDV-T1-BE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
1507 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977707
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI3442BDV-T1-BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
57mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
295 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
860mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI3442BDV-T1-BE3DKR
742-SI3442BDV-T1-BE3TR
742-SI3442BDV-T1-BE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI3442BDV-T1-E3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
26929
Номер части
SI3442BDV-T1-E3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.17
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3473CDV-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
SQD10N30-330H_4GE3
N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
IRFR224TRPBF-BE3
N-CHANNEL 250V
