Производитель Номер продукта:
SI3451DV-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI3451DV-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
12954253
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI3451DV-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
115mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.1 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
250 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
SI3451
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI3443CDV-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3901
Номер части
SI3443CDV-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.14
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSG65N190CR RVG
650V, 11A, PDFN56, E-MODE GAN TR
AO3452
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
IRLZ24PBF-BE3
MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
