Производитель Номер продукта:
SI3460DDV-T1-BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI3460DDV-T1-BE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 20 V 6.2A (Ta), 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
12986534
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI3460DDV-T1-BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.2A (Ta), 7.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
666 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI3460DDV-T1-BE3CT
742-SI3460DDV-T1-BE3TR
742-SI3460DDV-T1-BE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMJ65H430SCTI
MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220A
DMP2016UFDF-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
SI4155DY-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
