Производитель Номер продукта:
SI3879DV-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI3879DV-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Подробное описание:
P-Channel 20 V 5A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
12918512
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI3879DV-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
LITTLE FOOT®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
480 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
SI3879
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDC634P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5000
Номер части
FDC634P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.18
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHD1K4N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
SI4688DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
SUD15N15-95-E3
MOSFET N-CH 150V 15A TO252
