Производитель Номер продукта:
SIHD1K4N60E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHD1K4N60E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Подробное описание:
N-Channel 600 V 4.2A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
12918514
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHD1K4N60E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Bulk
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.45Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
172 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
63W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SIHD1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SIHD1K4N60E-GE3DKR
SIHD1K4N60E-GE3DKR-DG
SIHD1K4N60E-GE3TR-DG
SIHD1K4N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHD1K4N60E-GE3CT
SIHD1K4N60E-GE3CT-DG
SIHD1K4N60E-GE3TR
SIHD1K4N60E-GE3CTINACTIVE
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STD5N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2500
Номер части
STD5N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.64
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STD5N60DM2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2282
Номер части
STD5N60DM2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.32
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPD65R1K4C6ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2410
Номер части
IPD65R1K4C6ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.37
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SPD03N60C3ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
27364
Номер части
SPD03N60C3ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.54
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPD60R1K5CEAUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
25223
Номер части
IPD60R1K5CEAUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.19
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4688DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
SUD15N15-95-E3
MOSFET N-CH 150V 15A TO252
SUM110N04-03-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
