Производитель Номер продукта:
SI4101DY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4101DY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Подробное описание:
P-Channel 30 V 25.7A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
12205 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12919728
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4101DY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
203 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8190 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4101
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4101DY-T1-GE3CT
SI4101DY-T1-GE3DKR
SI4101DY-T1-GE3-DG
SI4101DY-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIRA64DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
PMZ600UNELYL
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
SQ3456BEV-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
