Производитель Номер продукта:
SI4409DY-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4409DY-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
Подробное описание:
P-Channel 150 V 1.3A (Tc) 2.2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
12919275
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4409DY-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
332 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4409
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI4455DY-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
32101
Номер части
SI4455DY-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.56
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FDS6375
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2121
Номер части
FDS6375-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.32
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUP85N02-03-E3
MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
SIR468DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIHFS11N50A-GE3
MOSFET N-CH 500V 11A TO263
