SI4431BDY-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI4431BDY-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI4431BDY-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Подробное описание:
P-Channel 30 V 5.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

6605 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915593
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI4431BDY-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4431

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
742-SI4431BDY-T1-GE3TR
742-SI4431BDY-T1-GE3DKR
742-SI4431BDY-T1-GE3CT
SI4431BDY-T1-GE3-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRFZ24STRLPBF

MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

vishay-siliconix

SIHP33N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB

vishay-siliconix

SI7716ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

littelfuse

IXTH500N04T2

MOSFET N-CH 40V 500A TO247