Производитель Номер продукта:
SI4447DY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4447DY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Подробное описание:
P-Channel 40 V 3.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
2500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12912620
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4447DY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
72mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
805 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4447
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4447DY-T1-GE3CT
SI4447DY-T1-GE3TR
SI4447DY-T1-GE3DKR
SI4447DYT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLI640GPBF
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
IXFZ140N25T
MOSFET N-CH 250V 100A DE475
SI4462DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO
